Effect of InGaN underneath layer on MOVPE-grown InGaN/GaN blue LEDs von Törmä, P.T., Svensk, O., Ali, M., Suihkonen, S., Sopanen, M., Odnoblyudov, M.A., Bougrov, V.E.

Volltext

Void shape control in GaN re-grown on hexagonally patterned mask-less GaN von Ali, M., Romanov, A.E., Suihkonen, S., Svensk, O., Törmä, P.T., Sopanen, M., Lipsanen, H., Odnoblyudov, M.A., Bougrov, V.E.

Volltext

Control of the morphology of InGaN/GaN quantum wells grown by metalorganic chemical vapor deposition von Suihkonen, S., Lang, T., Svensk, O., Sormunen, J., Törmä, P.T., Sopanen, M., Lipsanen, H., Odnoblyudov, M.A., Bougrov, V.E.

Volltext

MOVPE growth and characterization of InAlGaN films and InGaN/InAlGaN MQW structures von Suihkonen, S., Svensk, O., Törmä, P.T., Ali, M., Sopanen, M., Lipsanen, H., Odnoblyudo, M.A., Bougrov, V.E.

Volltext

An investigation of structural properties of GaN films grown on patterned sapphire substrates by MOVPE von Törmä, P.T., Ali, M., Svensk, O., Sintonen, S., Kostamo, P., Suihkonen, S., Sopanen, M., Lipsanen, H., Odnoblyudov, M.A., Bougrov, V.E.

Volltext

Reduced photoluminescence from InGaN/GaN multiple quantum well structures following 40Mev iodine ion irradiation von Ali, M., Svensk, O., Zhen, Z., Suihkonen, S., Törmä, P.T., Lipsanen, H., Sopanen, M., Hjort, K., Jensen, J.

Volltext

Enhanced electroluminescence in 405nm InGaN/GaN LEDs by optimized electron blocking layer von Svensk, O., Törmä, P.T., Suihkonen, S., Ali, M., Lipsanen, H., Sopanen, M., Odnoblyudov, M.A., Bougrov, V.E.

Volltext

Technology development for soft X-ray spectroscopy von Törmä, P.T., Sipilä, H.J., Koskinen, T., Mattila, M.

Volltext

Fabrication of GaN structures with embedded network of voids using pillar patterned GaN templates von Svensk, O., Ali, M., Riuttanen, L., Törmä, P.T., Sintonen, S., Suihkonen, S., Sopanen, M., Lipsanen, H.

Volltext

Enhanced electroluminescence in 405 nm InGaN/GaN LEDs by optimized electron blocking layer von Svensk, O., Törmä, P.T., Suihkonen, S., Ali, M., Lipsanen, H., Sopanen, M., Odnoblyudov, M.A., Bougrov, V.E.

Volltext

Reduced photoluminescence from InGaN/GaN multiple quantum well structures following 40 Mev iodine ion irradiation von ALI, M, SVENSK, O, ZHEN, Z, SUIHKONEN, S, TÖRMÄ, P. T, LIPSANEN, H, SOPANEN, M, HJORT, K, JENSEN, J

Volltext

Reduction of threading dislocation density in Al 0.12Ga 0.88N epilayers by a multistep technique von Lang, T., Odnoblyudov, M.A., Bougrov, V.E., Suihkonen, S., Svensk, O., Törmä, P.T., Sopanen, M., Lipsanen, H.

Volltext

Maskless roughening of sapphire substrates for enhanced light extraction of nitride based blue LEDs von Törmä, P.T., Svensk, O., Ali, M., Suihkonen, S., Sopanen, M., Odnoblyudov, M.A., Bougrov, V.E.

Volltext

Reduction of threading dislocation density in Al0.12Ga0.88N epilayers by a multistep technique von Lang, T., Odnoblyudov, M.A., Bougrov, V.E., Suihkonen, S., Svensk, O., Törmä, P.T., Sopanen, M., Lipsanen, H.

Volltext