-
1
Investigation of buffer growth temperatures for MOVPE of GaN on Si(1 1 1)
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
VolltextArtikel -
2
-
3
-
4
-
5
MOVPE of AlGaAsSb using TTBAl as an alternative aluminum precursor
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
VolltextArtikel -
6
Advanced buffers for AlGaN/GaN HEMT and InGaN/GaN MQW on silicon substrates
Veröffentlicht in Physica status solidi. C
VolltextArtikel -
7
-
8
Growth studies of GaN and alloys on LiAlO2 by MOVPE
Veröffentlicht in Physica status solidi. C
VolltextArtikel -
9
Growth and characterization of AlGaN/GaN HEMT on SiCOI substrates
Veröffentlicht in Physica status solidi. C
VolltextArtikel -
10
Si(111) as alternative substrate for AlGaN/GaN HEMT
Veröffentlicht in Physica status solidi. C
VolltextArtikel -
11
-
12
-
13
-
14
Growth studies of GaN and alloys on LiAlO 2 by MOVPE
Veröffentlicht in Physica status solidi. C
VolltextArtikel -
15
-
16
-
17
-
18
-
19
-
20
Quadrupole Effects in Li 7 and Be 9 Scattering and the Folding Model
Veröffentlicht in Physical review letters
VolltextArtikel