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Design considerations for a long-wavelength InAsSb detector diode
Veröffentlicht in Semiconductor science and technology
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Materials design parameters for infrared device applications based on III-V semiconductors
Veröffentlicht in Applied Optics
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Metamorphic narrow-gap InSb/InAsSb superlattices with ultra-thin layers
Veröffentlicht in Applied physics letters
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P-doping with beryllium of long-wavelength InAsSb
Veröffentlicht in Semiconductor science and technology
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Composition modulated InAsSb superlattice induced by non-incorporating Bismuth
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
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