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Observations of very fast electron traps at SiC/high-κ dielectric interfaces
Veröffentlicht in APL materials
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Room temperature electroluminescence from dislocation-rich silicon
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Design and Fabrication of 4H-SiC RF MOSFETs
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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Enhanced Mobility in InAlN/AlN/GaN HEMTs Using a GaN Interlayer
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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