HOT CARRIER PHOTOCURRENT AS AN INTRINSIC LOSS IN A SINGLE JUNCTION SOLAR CELL von Gradauskas, J, Masalskyi, O, Asmontas, S, Suziedelis, A, Rodin, A, Zharchenko, I

Volltext

Hot carrier impact on photovoltage formation in solar cells von Ašmontas, S., Gradauskas, J., Sužiedėlis, A., Šilėnas, A., Širmulis, E., Švedas, V., Vaičikauskas, V., Žalys, O.

Volltext

Monte Carlo Simulation of THz Radiation Detection in GaN MOSFET n+nn+ Channel with Uncentered Gate in n-region von Palermo, C., Torres, J., Varani, L., Gružinskis, V., Starikov, E., Shiktorov, P., Ašmontas, S., Sužiedelis, A.

Volltext

Giga- and terahertz frequency band detector based on an asymmetrically necked n-n+-GaAs planar structure von Suz̆iedelis, A., Gradauskas, J., As̆montas, S., Valus̆is, G., Roskos, H. G.

Volltext

Photoluminescence peculiarities of epitaxial structure with 2DEG layer designed for microwave detectors von Čerškus, A., Sužiedėlis, A., Lučun, A., Anbinderis, M., Gradauskas, J., Šutinys, E.

Volltext

Peculiarities of Excitonic Photoluminescence in Si δ-Doped GaAs Structures von Nargelienė, V., Ašmontas, S., Čerškus, A., Gradauskas, J., Kundrotas, J., Sužiedėlis, A.

Volltext

Triple-cation perovskite/silicon tandem solar cell von Asmontas, S, Gradauskas, J, Griguceviciene, A, Leinartas, K, Lucun, A, Mujahid, M, Petrauskas, K, Selskis, A, Suziedelis, A, Silenas, A, Sirmulis, E

Volltext

Charge Carrier Heating Effect in Porous Silicon Structures Investigated by Microwaves von Gradauskas, J., Šatkovskis, E., Česnys, A., Stupakova, J., Sužiedėlis, A.

Volltext

Enhanced Electron Saturated Drift Velocity in AlGaAs/GaAs/AlGaAs Heterostructures von Požela, J., Požela, K., Sužiedėlis, A., Jucienė, V., Petkun, V.

Volltext

Sensitivity increase of point contact hot carrier microwave detector von SUZIEDELIS, A, ASMONTAS, S, KAZLAUSKAITE, V, GRADAUSKAS, J

Volltext

Suppression of hot carriers by nanoporous silicon for improved operation of a solar cell von Ašmontas, S, Fedorenko, L, Vlasiuk, V, Gorbanyuk, T, Kostylyov, V, Lytovchenko, V, Gradauskas, J, Sužiedėlis, A, Širmulis, E, Žalys, O, Masalskyi, O

Volltext

Microwave detectors based on porous silicon von Ašmontas, S., Gradauskas, J., Zagadsky, V., Stupakova, J., Sužiedelis, A., Šatkovskis, E.

Volltext

Detecting microwave radiation on metal–porous silicon contacts von Gradauskas, J., Stupakova, J., Sužiedėlis, A., Samuolienė, N.

Volltext

Peculiarities of High Power Infrared Detection on Narrow-Gap Semiconductor p-n Junctions von Gradauskas, J., Širmulis, E., Ašmontas, S., Sužiedėlis, A., Dashevsky, Z., Kasiyan, V.

Volltext

Submicrometric Heavily Doped n-GaAs Structures for Microwave Detection von Ašmontas, S., Gradauskas, J., Kozič, A., Shtrikmann, H., Sužiedėlis, A.

Volltext

Enhanced exciton photoluminescence in the selectively Si-doped GaAs/AlxGa1−xAs heterostructures von Kundrotas, J., Čerškus, A., Nargelienė, V., Sužiedėlis, A., Ašmontas, S., Gradauskas, J., Johannessen, A., Johannessen, E., Umansky, V.

Volltext

Voltage sensitivity of a point-contact GaAs/AlGaAs heterojunction microwave detector von Sužiedėlis, A, Ašmontas, S, Kundrotas, J, Nargelienė, V, Gradauskas, J

Volltext

Enhancement of the Excitonic Photoluminescence in n + /i-GaAs by Controlling the Thickness and Impurity Concentration of the n + Layer von Čerškus, A., Nargelienė, V., Kundrotas, J., Sužiedėlis, A., Ašmontas, S., Gradauskas, J., Johannessen, A., Johannessen, E.

Volltext

Submicron semiconductor structure for microwave detection von Asˇmontas, S., Gradauskas, J., Sužiedėlis, A., Valusˇis, G.

Volltext

Detection of terahertz/sub-terahertz radiation by asymmetrically-shaped 2DEG layers von Seliuta, D., Širmulis, E., Tamošiu̅nas, V., Balakauskas, S., Ašmontas, S., Sužiedėlis, A., Gradauskas, J., Valušis, G., Lisauskas, A., Roskos, H.G., Köhler, K.

Volltext