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Defect energy levels in carbon implanted n-type homoepitaxial GaN
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Deep level study of beryllium implanted MOCVD homoepitaxial GaN
Veröffentlicht in Japanese Journal of Applied Physics
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Point defects in Ga-implanted SiC: Experiment and theory
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Study of 4H-SiC Schottky Diode Designs for 3.3kV Applications
Veröffentlicht in Materials science forum
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A Computerized Database of 'Normal' Auditory Brainstem Responses
Veröffentlicht in British journal of audiology
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