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Growth of semi-polar InN layer on GaAs (110) surface by MOVPE
von
Murakami, Hisashi
,
Chol Cho, Hyun
,
Suematsu, Mayu
,
Togashi, Rie
,
Kumagai, Yoshinao
,
Toba, Ryuichi
,
Koukitu, Akinori
Veröffentlicht in
Journal of crystal growth
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Influence of growth temperature on the twin formation of InN{10$ bar 1 $3} on GaAs(110) by metalorganic vapor phase epitaxy
von
Murakami, Hisashi
,
Cho, Hyun-Chol
,
Suematsu, Mayu
,
Inaba, Katsuhiko
,
Kumagai, Yoshinao
,
Koukitu, Akinori
Veröffentlicht in
Physica status solidi. C
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Gallium Arsenides
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Inn
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Inorganic Chemistry
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Wiley Online Library Journals Frontfile Complete
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Ingenta Connect
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Elsevier Sciencedirect Journals
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Sd College Edition Journals Collection - Physical Sciences [Scps]
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