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    Incomplete ionization of aluminum in silicon and its effect on accurate determination of doping profiles

    Incomplete ionization of aluminum in silicon and its effect on accurate determination of doping profiles von Rauer, Michael, Rüdiger, Marc, Schmiga, Christian, Strutzberg, Hartmuth, Bähr, Mario, Glatthaar, Markus, Glunz, Stefan W.

    Veröffentlicht in Journal of applied physics

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    Hydrogen Incorporation during Aluminium Anodisation on Silicon Wafer Surfaces

    Hydrogen Incorporation during Aluminium Anodisation on Silicon Wafer Surfaces von Lu, Pei Hsuan Doris, Strutzberg, Hartmuth, Wenham, Stuart, Lennon, Alison

    Veröffentlicht in Electrochimica acta

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    Calibration of IR Absorbance in Highly Nitrogen Doped Silicon

    Calibration of IR Absorbance in Highly Nitrogen Doped Silicon von Schulze, Dirk, Porytskyy, Rudolf, Lauer, Kevin, Strutzberg, Hartmuth, Schaaff, Friedrich, Schley, Michael, Möller, Christian


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