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Design and optimization of a 200 GHz SiGe HBT collector profile by TCAD
Veröffentlicht in Applied surface science
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Scaling of SiGe Heterojunction Bipolar Transistors
Veröffentlicht in Proceedings of the IEEE
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Analysis of lateral DMOS power devices under ESD stress conditions
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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Reverse active mode current characteristics of SiGe HBTs
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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