On-wafer RF stress and trapping kinetics of Fe-doped AlGaN/GaN HEMTs von Rzin, M., Chini, A., De Santi, C., Meneghini, M., Hugger, A., Hollmer, M., Stieglauer, H., Madel, M., Splettstößer, J., Sommer, D., Grünenpütt, J., Beilenhoff, K., Blanck, H., Chen, J.-T., Kordina, O., Meneghesso, G., Zanoni, E.

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Wafer-level packaging for electronic RF systems using GaN technologies von Stieglauer, H, Riepe, K.J, Moereke, J, Grünenpütt, J, Sommer, D, Hollmer, M, Blanck, H, Pierson, V, Lambert, B, Richard, E, Hansen, U, Maus, S, Brückner, P

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Highly integrated S and C-band internally-matched Quasi-MMIC power GaN devices von Camiade, M., Bouw, D., Mouginot, G., Auvray, F., Alleaume, P. F., Floriot, D., Favede, L., Thorpe, J., Stieglauer, H.

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An E-band very low noise amplifier with variable gain control on 100 nm GaAs pHEMT technology von Byk, E., Couturier, A. M., Camiade, M., Teyssandier, C., Hosch, M., Stieglauer, H., Fellon, P.

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E-band medium power amplifiers with gain control and output power detector von Couturier, A. M., Byk, E., Auvinet, C., Tranchant, S., Auxemery, P., Camiade, M., Teyssandier, C., Hosch, M., Stieglauer, H.

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0.1µm GaAs pHEMT technology and associated modelling for millimeter wave low noise amplifiers von Teyssandier, C., Stieglauer, H., Byk, E., Couturier, A., Fellon, P., Camiade, M., Blanck, H., Floriot, D.

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Highly integrated S and C-band internally-matched Quasi-MMIC power GaN devices von Camiade, M., Bouw, D., Mouginot, G., Auvray, F., Alleaume, P. F., Floriot, D., Favede, L., Thorpe, J., Stieglauer, H.

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New qualified industrial AlGaN/GaN HEMT process: Power performances & reliability figures of merit von Floriot, D., Blanck, H., Bouw, D., Bourgeois, F., Camiade, M., Favede, L., Hosch, M., Jung, H., Lambert, B., Nguyen, A., Riepe, K., Splettstosse, J., Stieglauer, H., Thorpe, J., Meiners, U.

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Process Stabilization and Sensitivity Analyses of a Single Recess GaAs pHEMT Process using Device Simulations von Abele, P., Schafer, M., Splettstosser, J., Thinnes, M., Stieglauer, H., Behammer, D.

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