Determination of lattice parameters, strain state and composition in semipolar III-nitrides using high resolution X-ray diffraction von Frentrup, Martin, Hatui, Nirupam, Wernicke, Tim, Stellmach, Joachim, Bhattacharya, Arnab, Kneissl, Michael

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Origin of defect luminescence in ultraviolet emitting AlGaN diode structures von Feneberg, Martin, Romero, Fátima, Goldhahn, Rüdiger, Wernicke, Tim, Reich, Christoph, Stellmach, Joachim, Mehnke, Frank, Knauer, Arne, Weyers, Markus, Kneissl, Michael

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Effect of heterostructure design on carrier injection and emission characteristics of 295 nm light emitting diodes von Mehnke, Frank, Kuhn, Christian, Stellmach, Joachim, Kolbe, Tim, Lobo-Ploch, Neysha, Rass, Jens, Rothe, Mark-Antonius, Reich, Christoph, Ledentsov, Nikolay, Pristovsek, Markus, Wernicke, Tim, Kneissl, Michael

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Anisotropic optical properties of semipolar AlGaN layers grown on m-plane sapphire von Feneberg, Martin, Winkler, Michael, Klamser, Juliane, Stellmach, Joachim, Frentrup, Martin, Ploch, Simon, Mehnke, Frank, Wernicke, Tim, Kneissl, Michael, Goldhahn, Rüdiger

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Modulated Epitaxial Lateral Overgrowth of AlN for Efficient UV LEDs von Kueller, V., Knauer, A., Reich, C., Mogilatenko, A., Weyers, M., Stellmach, J., Wernicke, T., Kneissl, M., Zhihong Yang, Chua, C. L., Johnson, N. M.

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Polarization of photoluminescence emission from semi-polar (11–22) AlGaN layers von Netzel, Carsten, Stellmach, Joachim, Feneberg, Martin, Frentrup, Martin, Winkler, Michael, Mehnke, Frank, Wernicke, Tim, Goldhahn, Rüdiger, Kneissl, Michael, Weyers, Markus

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Growth mode transition and relaxation of thin InGaN layers on GaN (0001) von Pristovsek, Markus, Kadir, Abdul, Meissner, Christian, Schwaner, Tilman, Leyer, Martin, Stellmach, Joachim, Kneissl, Michael, Ivaldi, Francesco, Kret, Sławomir

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Assessment of inventive step for organic chemical reactions: Structure–reactivity-relationships in the frame of the problem-solution approach (PSA) von Stellmach, Joachim A.

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The influences of the structure and activity of biologically active compounds on the assessment of inventive step von Stellmach, Joachim A.

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A graphical representation of the problem-solution approach (PSA) to the assessment of inventive step von Stellmach, Joachim A.

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Metalorganic vapor phase epitaxy of InN on GaN using tertiary-butylhydrazine as nitrogen source von Kremzow, Raimund, Pristovsek, Markus, Stellmach, Joachim, Savaş, Özgür, Kneissl, Michael

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Surface reconstructions of (0001) AlN during metal‐organic vapor phase epitaxy von Pristovsek, Markus, Bellman, Konrad, Mehnke, Frank, Stellmach, Joachim, Wernicke, Tim, Kneissl, Michael

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Single phase { 1 1 2 ¯ 2 } GaN on ( 1 0 1 ¯ 0 ) sapphire grown by metal-organic vapor phase epitaxy von Ploch, Simon, Bum Park, Jae, Stellmach, Joachim, Schwaner, Tilman, Frentrup, Martin, Niermann, Tore, Wernicke, Tim, Pristovsek, Markus, Lehmann, Michael, Kneissl, Michael

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AlGaN-based ultraviolet lasers - Applications and materials challenges von Kneissl, Michael, Kolbe, Tim, Schlegel, Jessica, Stellmach, Joachim, Chua, Chris, Zhihong Yang, Knauer, Arne, Kuller, V., Weyers, Markus, Johnson, Noble M.

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Temperatureinfluß auf die Selektivität von σ‐Radikalen von Giese, Bernd, Stellmach, Joachim

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Impulscytofluorometrie der Redox-Aktivität von Einzelzellen mit einem neuen fluorescierenden Formazan von Severin, Von Erhard, Stellmach, Joachim

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Fluorimetric assay of redox activity in cells von Severin, Erhard, Stellmach, Joachim, Nachtigal, Hans-Martin

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Use of the Isoselectivity Principle for Distinguishing Cationic μ- and σ Complexes von Giese, Bernd, Stellmach, Joachim

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Anwendung des Isoselektivitätsprinzips zur Unterscheidung kationischer π‐ und σ‐Komplexe von Giese, Bernd, Stellmach, Joachim

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Selectivity of bridgehead radicals von Giese, Bernd, Stellmach, Joachim

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