Infrared spectroscopy of interfaces in amorphous hydrogenated silicon/silicon nitride superlattices von ABELES, B, YANG, L, PERSANS, P. D, STASIEWSKI, H. S, LANFORD, W

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Photoemission spectroscopy of heterojunctions of hydrogenated amorphous silicon with silicon oxide and nitride von Yang, L, Abeles, B, Eberhardt, W, Stasiewski, H, Sondericker, D

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Growth and structure of layered amorphous semiconductors von Abeles, B., Tiedje, T., Liang, K.S., Deckman, H.W., Stasiewski, H.C., Scanlon, J.C., Eisenberger, P.M.

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Photoemission study of a-Si:H/a-SiNx:H interface formation von Yang, L., Abeles, B., Eberhardt, W., Sondericker, D., Stasiewski, H., Fu, Z.

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Structure of interfaces in a-Si:H/a-Sinx:H superlattices von Abeles, B, Persans, P.D, Stasiewski, H.S, Yang, L, Lanford, W

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Viscous flow and diffusion of liquids in microporous glasses von LIN, M. Y, ABELES, B, HUANG, J. S, STASIEWSKI, H. E, ZHANG, Q

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Surface states in P- and B-doped amorphous hydrogenated silicon von WAGNER, I, STASIEWSKI, H, ABELES, B, LANFORD, W. A

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Photoemission spectroscopy of ultrathin hydrogenated amorphous silicon layers von YANG, L, ABELES, B, EBERHARDT, W, STASIEWSKI, H, SONDERICKER, D

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Amorphous semiconductor superlattices von Abeles, B., Tiedje, T., Stasiewski, H.C., Deckman, H.W., Persans, P.D., Liang, K.S., Roxlo, C.B.

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Photoemission study of a-Si:H/a-SiN x:H interface formation von Yang, L., Abeles, B., Eberhardt, W., Sondericker, D., Stasiewski, H., Fu, Z.

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Römisch-germanische Zeit und früheres Mittelalter bis 1250 von Holtzmann, Walther, Patzelt, E., Holtzmann, R., Stasiewski, B., Witte, H., Wackernagel, J., Maschke, E., Hessel, A.

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