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Managing Basal Plane Dislocations in SiC: Perspective and Prospects
von
Myers-Ward, Rachael
,
Gaskill, D. Kurt
,
Stahlbush, R.S.
,
Mahadik, N.A.
,
Wheeler, Virginia
,
Nyakiti, Luke O
,
Eddy, C.R.
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2
(Invited) Mitigating Defects within Silicon Carbide Epitaxy
von
Caldwell, Joshua D.
,
Stahlbush, R.S.
,
Mahadik, N.
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3
Mitigating Issues that Impact 4H-SiC Epitaxy for Reliable Power Electronics
von
Gaskill, D. K.
,
Myers-Ward, R.L.
,
Wheeler, V.D.
,
Stahlbush, R.S.
,
Mahadik, N.
Veröffentlicht in
Meeting abstracts (Electrochemical Society)
Volltext
Artikel
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4
Managing Basal Plane Dislocations in SiC: Perspective and Prospects
von
Gaskill, D. Kurt
,
Myers-Ward, Rachael
,
Wheeler, Virginia
,
Stahlbush, R.S.
,
Mahadik, N.A.
,
Imhoff, E.A.
,
Nyakiti, Luke O.
,
Eddy, C.R.
Veröffentlicht in
Meeting abstracts (Electrochemical Society)
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Institute Of Physics Journals
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Institute Of Physics Iopscience Extra
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Free Full-Text Journals In Chemistry
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Institute Of Physics Open Access Journal Titles
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Ezb-Free-00999 Freely Available Ezb Journals
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