Transport mechanisms in atomic-layer-deposited Al2O3 dielectrics von Specht, M., Städele, M., Jakschik, S., Schröder, U.

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Exact Kohn-Sham Exchange Potential in Semiconductors von Städele, M., Majewski, J. A., Vogl, P., Görling, A.

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Metallization of molecular hydrogen: predictions from exact-exchange calculations von Städele, M, Martin, R M

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Tunneling through ultrathin SiO2 gate oxides from microscopic models von Städele, M., Tuttle, B. R., Hess, K.

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Enhancement of the effective tunnel mass in ultrathin silicon dioxide layers von Städele, M., Sacconi, F., Di Carlo, A., Lugli, P.

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Full band approach to tunneling in MOS structures von Sacconi, F., Di Carlo, A., Lugli, P., Stadele, M., Jancu, J.-M.

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Exact exchange Kohn-Sham formalism applied to semiconductors von Städele, M., Moukara, M., Majewski, J. A., Vogl, P., Görling, A.

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Novel dual bit tri-gate charge trapping memory devices von Specht, M., Kommling, R., Hofmann, F., Klandzievski, V., Dreeskornfeld, L., Weber, W., Kretz, J., Landgraf, E., Schulz, T., Hartwich, J., Rosner, W., Stadele, M., Luyken, R.J., Reisinger, H., Graham, A., Hartmann, E., Risch, L.

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Influence of crystal orientation and body doping on trigate transistor performance von Landgraf, E., Rösner, W., Städele, M., Dreeskornfeld, L., Hartwich, J., Hofmann, F., Kretz, J., Lutz, T., Luyken, R.J., Schulz, T., Specht, M., Risch, L.

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Simulation of nanoscale MOSFETs using modified drift-diffusion and hydrodynamic models and comparison with Monte Carlo results von Granzner, R., Polyakov, V.M., Schwierz, F., Kittler, M., Luyken, R.J., Rösner, W., Städele, M.

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Effective-mass enhancement and nonparabolicity in thin GaAs quantum wells von Städele, M., Hess, K.

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Stability and band offsets of polar GaN/SiC(001) and AlN/SiC(001) interfaces von Städele, M., Majewski, J. A., Vogl, P.

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Nanoscale FinFETs for low power applications von Rösner, W., Landgraf, E., Kretz, J., Dreeskornfeld, L., Schäfer, H., Städele, M., Schulz, T., Hofmann, F., Luyken, R.J., Specht, M., Hartwich, J., Pamler, W., Risch, L.

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Impact of technology parameters on device performance of UTB-SOI CMOS von Schulz, T., Pacha, C., Luyken, R.J., Städele, M., Hartwich, J., Dreeskornfeld, L., Landgraf, E., Kretz, J., Rösner, W., Specht, M., Hofmann, F., Risch, L.

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Fabrication of ultra-thin-film SOI transistors using the recessed channel concept von Dreeskornfeld, L., Hartwich, J., Hofmann, F., Kretz, J., Landgraf, E., Luyken, R.J., Rösner, W., Schröter, R., Schulz, T., Specht, M., Städele, M., Weber, W., Risch, L.

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Resonant electron tunneling through defects in ultrathin SiO2 gate oxides in MOSFETs von Städele, M., Fischer, B., Tuttle, B.R., Hess, K.

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Exact-exchange-based quasiparticle calculations von Aulbur, Wilfried G., Städele, Martin, Görling, Andreas

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NVM based on FinFET device structures von Hofmann, F., Specht, M., Dorda, U., Kömmling, R., Dreeskornfeld, L., Kretz, J., Städele, M., Rösner, W., Risch, L.

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Norm-conserving pseudopotentials in the exact-exchange Kohn-Sham formalism von Moukara, M, Städele, M, Majewski, J A, Vogl, P, Görling, A

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Electronic structure of ScN determined using optical spectroscopy, photoemission, and ab initio calculations von Gall, D., Städele, M., Järrendahl, K., Petrov, I., Desjardins, P., Haasch, R. T., Lee, T.-Y., Greene, J. E.

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