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Isotropic Contact Properties in Monolayer GeAs Field-Effect Transistors
Veröffentlicht in Molecules (Basel, Switzerland)
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AVO Detuning Effect Analysis Based on Sparse Inversion
Veröffentlicht in Energies (Basel)
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Interfacial Properties of Anisotropic Monolayer SiAs Transistors
Veröffentlicht in Nanomaterials (Basel, Switzerland)
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