-
1
-
2
-
3
-
4
-
5
-
6
-
7
-
8
-
9
-
10
-
11
Stress relaxation in Si-doped GaN studied by Raman spectroscopy
Veröffentlicht in Journal of applied physics
VolltextArtikel -
12
-
13
-
14
-
15
-
16
-
17
-
18
-
19
The influences of AlxGa1-xN layer on the characteristics of UV LED structure
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
VolltextArtikel -
20