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Characteristics of Si and Mg doping in a-plane GaN grown on r-plane sapphire
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Behaviors of Emission Wavelength Shift in AlInGaN-Based Green Laser Diodes
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Background study of the AMoRE-pilot experiment
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Analysis of reverse tunnelling current in GaInN light-emitting diodes
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Random telegraph noise in GaN-based light-emitting diodes
Veröffentlicht in Electronics letters
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