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Impact Ionization Coefficients in 4H-SiC
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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Effect of Crystal Defects on Reverse I-V Characteristics of 4H-SiC APDs
Veröffentlicht in Materials science forum
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Study of Forward Voltage Drift in Diffused SiC PiN Diodes Doped by Al or B
Veröffentlicht in Materials Science Forum
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