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Auger Recombination via Defects in Tellurium
Veröffentlicht in Physica status solidi. B. Basic research
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Flash-lamp annealing of SiSiO2 transition layer defects
Veröffentlicht in Physica status solidi. A, Applied research
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Effect of structure perfection on the photomemory in epitaxial GaAs films
Veröffentlicht in Thin solid films
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Electroreflectance of InN Semimetallic Thin Films
Veröffentlicht in Physica Status Solidi (b)
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Guided wave polaritons in the ir range in three-layered structures
Veröffentlicht in Infrared physics
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Nonequilibrium Field Effect on Si in the Region of High Depletion
Veröffentlicht in physica status solidi (b)
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Atom vibrations on clean and doped (111) silicon surface and on clean (110) GaAs surface
Veröffentlicht in Surface science
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On the Mechanism of Anodic Oxidation of InSb
Veröffentlicht in Physica status solidi. A, Applied research
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Surface states on silicon surfaces bombarded and annealed in high vacuum
Veröffentlicht in Surface science
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Electrical properties of clean silicon surfaces with different crystalline orientations
Veröffentlicht in Surface science
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