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Radiation Defects and Carrier Lifetime in 4H‐SiC Bipolar Devices
von
Hazdra, Pavel
,
Smrkovský, Petr
,
Popelka, Stanislav
Veröffentlicht in
Physica status solidi. A, Applications and materials science
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Radiation Resistance of High-Voltage Silicon and 4H-SiC Power p-i-n Diodes
von
Hazdra, Pavel
,
Smrkovsky, Petr
,
Vobecky, Jan
,
Mihaila, Andrei
Veröffentlicht in
IEEE transactions on electron devices
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Physica Status Solidi. A, Applications And Materials Science
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