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Annealing effect on the near-band edge emission of ZnO
Veröffentlicht in The Journal of physics and chemistry of solids
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Light emitters based on CdTe doped with isovalent impurities
Veröffentlicht in Fìzika ì hìmìâ tverdogo tìla (Online)
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Light sources based on CdTe/CdS/ZnS heterostructures
Veröffentlicht in Fìzika ì hìmìâ tverdogo tìla (Online)
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Optical properties of ZnTe layers formed over surface-modified ZnSe substrates
Veröffentlicht in Applied surface science
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Band structure investigations of GaN films using modulation spectroscopy
Veröffentlicht in Applied surface science
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The nature of edge luminescence of CdTe:Mg diffusion layers
Veröffentlicht in Semiconductors (Woodbury, N.Y.)
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Diffusion layers of zinc selenide with a predominant edge emission
Veröffentlicht in Ukrainian journal of physical optics
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Effect of Se Isoelectronic Impurity on the Luminescence Features of the ZnO
Veröffentlicht in Acta physica Polonica, A
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The barrier capacitance of n-SnS2/n-CdIn2Te4 heterojunction
Veröffentlicht in Fìzika ì hìmìâ tverdogo tìla (Online)
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Optical and photoluminescence properties of ZnO 1-x Se x thin films
Veröffentlicht in Applied optics (2004)
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Optical and photoluminescence properties of ZnO sub(1-x)Se sub(x) thin films
Veröffentlicht in Applied optics (2004)
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