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Suchergebnisse - Slapovskiy, D.N.
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Alloyed Si/Al-based ohmic contacts to AlGaN/GaN nitride heterostructures
von
Slapovskiy, D. N.
,
Pavlov, A. Yu
,
Pavlov, V. Yu
,
Klekovkin, A. V.
Veröffentlicht in
Semiconductors (Woodbury, N.Y.)
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2
Electrical and Thermal Properties of Photoconductive Antennas Based on [In.sub.x][Ga.sub.1-x]As with a Metamorphic Buffer Layer for the Generation of Terahertz Radiation
von
Ponomarev, D.S
,
Khabibullin, R.A
,
Yachmenev, A.E
,
Pavlov, A.Yu
,
Slapovskiy, D.N
,
Glinskiy, I.A
,
Lavrukhin, D.V
,
Ruban, O.A
,
Maltsev, P.P
Veröffentlicht in
Semiconductors (Woodbury, N.Y.)
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3
The Manufacturing Technology and Development of Monolithic Integrated Circuits Based on Gallium Nitride
von
Fedorov, Yu.V.
,
Bugayev, A.S.
,
Pavlov, A.Ju
,
Gnatyuk, D.L.
,
Matveenko, O.S.
,
Pavlov, V.Yu
,
Slapovskiy, D.N.
,
Tomosh, K.N.
,
Enushkina, E.N.
,
Galiev, R.R.
,
Maytama, M.V.
,
Zuev, A.V.
,
Krapuchin, D.V.
,
Gamkrelidze, S.A.
Veröffentlicht in
Nano- i mikrosistemnai͡a︡ tekhnika = Journal of "nano and microsystem technique."
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Nano- I Mikrosistemnai͡a︡ Tekhnika = Journal Of "Nano And Microsystem Technique."
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Schlagworte
Alloying
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Aluminum Gallium Nitrides
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Analysis
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Von:
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Infotrac Custom
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Ingentaconnect
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Springernature Journals
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Online Serials From Russia/Nis Available From East View (Udb-Ind)
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