System ESD robustness by co-design of on-chip and on-board protection measures von Gossner, H., Simbürger, W., Stecher, M.

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17-GHz 50-60 mW power amplifiers in 0.13-/spl mu/m standard CMOS von Vasylyev, A.V., Weger, P., Bakalski, W., Simbuerger, W.

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Tunable directional coupler for RF front-end applications von Solomko, V, Tanc, B, Kehrer, D, Ilkov, N, Bakalski, W, Simbürger, W

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17-GHz 50-60 mW power amplifiers in 0.13-μm standard CMOS von Vasylyev, A.V., Weger, P., Bakalski, W., Simbuerger, W.

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Compact quadrature receiver for 24 GHz radar applications in 0.13 mu m CMOS von Issakov, V, Mertens, K L R, Tiebout, M, Thiede, A, Simbuerger, W

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Compact quadrature receiver for 24 GHz radar applications in 0.13 μm CMOS von ISSAKOV, V, MERTENS, K. L. R, TIEBOUT, M, THIEDE, A, SIMBÜRGER, W

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Ultra-broadband 20.5-31 GHz monolithically-integrated CMOS power amplifier von Vasylyev, A, Weger, P, Simbürger, W

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Fully-integrated 32 dBm, 1.5-2.9 GHz SiGe-bipolar power amplifier using power-combining transformer von Vasylyev, A, Weger, P, Bakalski, W, Simbürger, W

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A 22-39 GHz passive mixer in SiGe:C bipolar technology von Issakov, V., Knapp, H., Wojnowski, M., Thiede, A., Simbuerger, W.

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Circuits in emerging technolgoies von Simbuerger, W., Young, I.

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5-6.5 GHz LTCC power amplifier module with 0.3W at 2.4V in Si-bipolar von Bakalski, W, Ilkov, N, Dernovsek, O, Matz, R, Simbürger, W, Weger, P, Scholtz, A L

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Integrated RF Front-End in 0.13 μm CMOS for Automotive and Industrial Applications beyond 20 GHz von Berry, M., Kienmayer, C., Thuringer, R., Simburger, W., Menzel, W.

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17-GHz 50-60 mW power amplifiers in 0.13-mum standard CMOS von Vasylyev, A V, Weger, P, Bakalski, W, Simbuerger, W

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Evaluation of wirebond and flip-chip interconnects of a leadless plastic package for RF applications von Engl, M., Pressel, K., Theuss, H., Dangelmaier, J., Eurskens, W., Knapp, H., Simbuerger, W., Weigel, R.

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Multiphoton excitation spectra in biological samples von Dickinson, Mary E, Simbuerger, Eva, Zimmermann, Bernhard, Waters, Christopher W, Fraser, Scott E

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An 84 GHz Bandwidth and 20 dB Gain Broadband Amplifier in SiGe Bipolar Technology von Trotta, S., Knapp, H., Aufinger, K., Meister, T.F., Bock, J., Dehlink, B., Simburger, W., Scholtz, A.L.

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A monolithic transformer coupled 5-W silicon power amplifier with 59% PAE at 0.9 GHz von Simburger, W., Wohlmuth, H.-D., Weger, P., Heinz, A.

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A New Regenerative Divider by Four up to 160 GHz in SiGe Bipolar Technology von Trotta, S., Knapp, H., Meister, T.F., Aufinger, K., Bock, J., Dehlink, B., Simburger, W., Scholtz, A.L.

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An 84 GHz Bandwidth and 20 dB Gain Broadband Amplifier in SiGe Bipolar Technology von Trotta, S., Knapp, H., Aufinger, K., Meister, T.F., Bock, J., Simburger, W., Scholtz, A.L.

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A monolithic 2.5 V, 1 W silicon bipolar power amplifier with 55% PAE at 1.9 GHz von Simburger, W., Heinz, A., Wohlmuth, H.-D., Bock, J., Aufinger, K., Rest, M.

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