Tunable directional coupler for RF front-end applications von Solomko, V, Tanc, B, Kehrer, D, Ilkov, N, Bakalski, W, Simbürger, W

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Ultra-broadband 20.5-31 GHz monolithically-integrated CMOS power amplifier von VASYLYEV, A, WEGER, P, SIMBÜRGER, W

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System ESD robustness by co-design of on-chip and on-board protection measures von Gossner, H., Simbürger, W., Stecher, M.

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Fully-integrated 32 dBm, 1.5-2.9 GHz SiGe-bipolar power amplifier using power-combining transformer von VASYLYEV, A, WEGER, P, BAKALSKI, W, SIMBÜRGER, W

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An 84 GHz Bandwidth and 20 dB Gain Broadband Amplifier in SiGe Bipolar Technology von Trotta, S., Knapp, H., Aufinger, K., Meister, T.F., Bock, J., Dehlink, B., Simburger, W., Scholtz, A.L.

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A high-IP3 RF receiver chip set for mobile radio base stations up to 2 GHz von Wohlmuth, H.-D., Simburger, W.

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Compact quadrature receiver for 24 GHz radar applications in 0.13 µm CMOS von Issakov, V., Mertens, K.L.R., Tiebout, M., Thiede, A., Simbürger, W.

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A 60 GHz broadband amplifier in SiGe bipolar technology von Perndl, W., Wilhelm, W., Knapp, H., Wurzer, M., Aufinger, K., Meister, T.F., Bock, J., Simburger, W., Scholtz, A.L.

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A monolithic transformer coupled 5-W silicon power amplifier with 59% PAE at 0.9 GHz von Simburger, W., Wohlmuth, H.-D., Weger, P., Heinz, A.

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Integrated RF Front-End in 0.13 μm CMOS for Automotive and Industrial Applications beyond 20 GHz von Berry, M., Kienmayer, C., Thuringer, R., Simburger, W., Menzel, W.

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Compact quadrature receiver for 24 GHz radar applications in 0.13 [mu]m CMOS von Issakov, V, Mertens, K L R, Tiebout, M, Thiede, A, Simbürger, W

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Voltage-controlled oscillators up to 98 GHz in SiGe bipolar technology von Perndl, W., Knapp, H., Aufinger, K., Meister, T.F., Simburger, W., Scholtz, A.L.

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Compact quadrature receiver for 24 GHz radar applications in 0.13 μm CMOS von ISSAKOV, V, MERTENS, K. L. R, TIEBOUT, M, THIEDE, A, SIMBÜRGER, W

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5–6.5 GHz LTCC power amplifier module with 0.3 W at 2.4 V in Si-bipolar von Bakalski, W., Ilkov, N., Dernovsek, O., Matz, R., Simbürger, W., Weger, P., Scholtz, A.L.

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Ultra-broadband 20.5-31 GHz monolithically-integrated CMOS power amplifier von Vasylyev, A, Weger, P, Simbürger, W

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Fully-integrated 32 dBm, 1.5-2.9 GHz SiGe-bipolar power amplifier using power-combining transformer von Vasylyev, A, Weger, P, Bakalski, W, Simbürger, W

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Lumped and distributed lattice-type LC-baluns von Bakalski, W., Simburger, W., Knapp, H., Wohlmuth, H.-D., Scholtz, A.L.

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Modeling of monolithic lumped planar transformers up to 20 GHz von Kehrer, D., Simburger, W., Wohlmuth, H.-D., Scholtz, A.L.

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A low power 24 GHz LNA in 0.13 μm CMOS von Issakov, V., Tiebout, M., Cao, Y., Thiede, A., Simburger, W.

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A fully integrated 5.3-GHz 2.4-V 0.3-W SiGe bipolar power amplifier with 50-/Omega/ output von Bakalski, W, Simburger, W, Thuringer, R, Vasylyev, A, Scholtz, A L

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