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    70 nm Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon Nonvolatile Memory Devices Using Fowler-Nordheim Programming and Hot Hole Erase Method

    70 nm Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon Nonvolatile Memory Devices Using Fowler-Nordheim Programming and Hot Hole Erase Method von Chae, Soodoo, Lee, Changju, Kim, Juhyung, Sung, Sukkang, Sim, Jaeseong, Kim, Moonkyung, Yoon, Sewook, Jeong, Younseok, Ryu, Wonil, Kim, Taehun, Park, Byung-Gook, Lee, Jo-won, Kim, Chungwoo


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