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Selective epitaxial trench (SET)
Veröffentlicht in Journal of the Electrochemical Society
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Growth Kinematics of a Polysilicon Trench Refill Process
Veröffentlicht in Journal of the Electrochemical Society
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Trench isolation by selective epi and CVD oxide cap
Veröffentlicht in Journal of the Electrochemical Society
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ULSI Quality silicon epitaxial growth at 850°C
Veröffentlicht in Journal of the Electrochemical Society
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THE DISSOCIATION PRESSURE OF CdSb
Veröffentlicht in Journal of physical chemistry (1952)
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Incorporation of Zinc in Vapor Grown Gallium Arsenide
Veröffentlicht in Journal of the Electrochemical Society
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Post‐Epitaxial Polysilicon and Si3 N 4 Gettering in Silicon
Veröffentlicht in Journal of the Electrochemical Society
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SOLID-VAPOR EQUILIBRIA FOR THE COMPOUNDS Cd3As2 AND CdAs2
Veröffentlicht in Journal of physical chemistry (1952)
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Vapor growth of Bi12GeO20, γ-Bi2O3 and BiOCl
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
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Chemical vapor deposition of AlxOyNz films
Veröffentlicht in Journal of electronic materials
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Thermodynamic Calculations of the Ge-H-Cl System
Veröffentlicht in Journal of the Electrochemical Society
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