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X-ray and infrared spectroscopy of layers produced by cosputtering of spatially separated Si[O.sub.2] and Si sources
von
Shamin, S.N
,
Galakhov, V.R
,
Aksenova, V.I
,
Karpov, A.N
,
Shvartz, N.L
,
Yanovitskaya, Z. Sh
,
Volodin, V.A
,
Antonova, I.V
,
Ezhevskaya, T.B
,
Jedrzejewski, J
,
Savir, E
,
Balberg, I
Veröffentlicht in
Semiconductors (Woodbury, N.Y.)
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