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1
Excited states of chalcogen ions in germanium
von
Ushakov, A. Yu
,
Shterengas, R. M.
,
Shterengas, L. M.
,
Radchuk, N. B.
Veröffentlicht in
Semiconductors (Woodbury, N.Y.)
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2
Distributed feedback 3.27 mu m diode lasers with continuous-wave output power above 15 mW at room temperature
von
Liang, R
,
Hosoda, T
,
Shterengas, L
,
Stein, A
,
Lu, M
,
Kipshidze, G
,
Belenky, G
Veröffentlicht in
Electronics letters
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3
Distributed feedback 3.27 µm diode lasers with continuous-wave output power above 15 mW at room temperature
von
Liang, R
,
Hosoda, T
,
Shterengas, L
,
Stein, A
,
Lu, M
,
Kipshidze, G
,
Belenky, G
Veröffentlicht in
Electronics letters
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4
Dependence of the carrier concentration on the current in mid-infrared injection lasers with quantum wells
von
Vinnichenko, M. Ya
,
Vorobjev, L. E.
,
Firsov, D. A.
,
Mashko, M. O.
,
Balagula, R. M.
,
Belenky, G.
,
Shterengas, L.
,
Kipshidze, G.
Veröffentlicht in
Semiconductors (Woodbury, N.Y.)
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5
Mechanism of the temperature sensitivity of mid-infrared GaSb-based semiconductor lasers
von
Suchalkin, S.
,
Shterengas, L.
,
Kisin, M.
,
Luryi, S.
,
Belenky, G.
,
Kaspi, R.
,
Ongstad, A.
,
Kim, J. G.
,
Martinelli, R. U.
Veröffentlicht in
Applied physics letters
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6
Direct measurement of lateral carrier leakage in 1.3-μm InGaAsP multiple-quantum-well capped mesa buried heterostructure lasers
von
BELENKY, Gregory
,
SHTERENGAS, Leon
,
REYNOLDS, C. Lewis
,
FOCHT, Marlin W
,
HYBERTSEN, Mark S
,
WITZIGMANN, Bernd
Veröffentlicht in
IEEE journal of quantum electronics
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7
Effect of p-doping on the performance of high power 1.5-/spl mu/m InGaAsP MQW lasers
von
Menna, R.
,
Shterengas, L.
,
Belenky, G.
,
Trussell, W.
,
Donetsky, D.
,
Maiorov, M.
,
Connolly, J.
,
Garbuzov, D.
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