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Analysis of neutron-induced single-event burnout in SiC power MOSFETs
Veröffentlicht in Microelectronics and reliability
VolltextArtikel -
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Theoretical analysis of short-circuit capability of SiC power MOSFETs
Veröffentlicht in Japanese Journal of Applied Physics
VolltextArtikel -
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Cosmic ray neutron-induced single-event burnout in power devices
Veröffentlicht in IET power electronics
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