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Growth of bulk AlN crystals by vapor-phase epitaxy from atomic Al and NH3
Veröffentlicht in Technical physics letters
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MBE of InGaN/GaN heterostructures using ammonia as a source of nitrogen
Veröffentlicht in Technical physics letters
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Use of molecular beam epitaxy for high-power AlGaAs laser production
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
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