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Fast Switching NO2-doped p-Channel Diamond MOSFETs
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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Stable AC Stress Operation (100 h) of NO2 p-Type Doped Diamond MOSFETs
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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Stable AC Stress Operation (100 h) of NO 2 p-Type Doped Diamond MOSFETs
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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Long Stress (190 h) Operation of NO 2 p-Type Doped Diamond MOSFETs
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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6
Long Stress (190 h) Operation of NO2 p-Type Doped Diamond MOSFETs
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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