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Long-wavelength VCSEL-based CWDM scheme for 10-GbE links
Veröffentlicht in IEEE photonics technology letters
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Grain boundary resistance in p- and n-type indium phosphide
Veröffentlicht in Materials letters
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A new photoelectrochemical profiling technique for recombination centers in GaAs
Veröffentlicht in Applied physics letters
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A lateral metal-insulator-p-Si tunnel transistor
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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Organic light-emitting diodes with a bipolar transport layer
Veröffentlicht in Applied physics letters
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A silicon phototransistor with a MIS tunnel junction emitter
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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