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High power AlGaN ultraviolet light emitters
Veröffentlicht in Semiconductor science and technology
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Efficiency of light emission in high aluminum content AlGaN quantum wells
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Influence of carrier localization on high-carrier-density effects in AlGaN quantum wells
Veröffentlicht in Optics express
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Low threshold for optical damage in AlGaN epilayers and heterostructures
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Photomodification of carrier lifetime and diffusivity in AlGaN epitaxial layers
Veröffentlicht in Current applied physics
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Large Chip High Power Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes
Veröffentlicht in Applied physics express
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