-
1
-
2
In Situ Epitaxy of Pure Phase Ultra-Thin InAs-Al Nanowires for Quantum Devices
Veröffentlicht in Chinese physics letters
VolltextArtikel -
3
Gatemon Qubit Based on a Thin InAs-Al Hybrid Nanowire
Veröffentlicht in Chinese physics letters
VolltextArtikel -
4
Large zero bias peaks and dips in a four-terminal thin InAs-Al nanowire device
Veröffentlicht in Physical review research
VolltextArtikel -
5
Hard Superconducting Gap in PbTe Nanowires
Veröffentlicht in Chinese physics letters
VolltextArtikel -
6
Back-action-induced non-equilibrium effect in electron charge counting statistics
Veröffentlicht in Applied physics letters
VolltextArtikel -
7
Back-action-driven electron spin excitation in a single quantum dot
Veröffentlicht in New journal of physics
VolltextArtikel -
8
Suppressing Andreev Bound State Zero Bias Peaks Using a Strongly Dissipative Lead
Veröffentlicht in Physical review letters
VolltextArtikel -
9
Selective-Area-Grown PbTe-Pb Planar Josephson Junctions for Quantum Devices
Veröffentlicht in Nano letters
VolltextArtikel -
10
-
11
-
12
-
13
-
14
-
15
-
16
Large Andreev bound state zero-bias peaks in a weakly dissipative environment
Veröffentlicht in Physical review. B
VolltextArtikel -
17
-
18
Observation of Aharonov-Bohm effect in PbTe nanowire networks
Veröffentlicht in Physical review. B
VolltextArtikel -
19
Proximity effect in PbTe-Pb hybrid nanowire Josephson junctions
Veröffentlicht in Physical review materials
VolltextArtikel -
20