-
1
-
2
Complex models of surface state admittance
Veröffentlicht in International journal of electronics
VolltextArtikel -
3
-
4
Charge fluctuations in SiO2-Si interface
Veröffentlicht in International journal of electronics
VolltextArtikel -
5
-
6
Inhomogeneities in irradiated SiO2Si structures
Veröffentlicht in Physica status solidi. A, Applied research
VolltextArtikel -
7
Deep level profiling using an admittance spectroscopy method
Veröffentlicht in Physica status solidi. A, Applied research
VolltextArtikel -
8
On the frequency dependence of the surface state admittance
Veröffentlicht in Physica status solidi. A, Applied research
VolltextArtikel -
9
Charge fluctuations in SiO-2 Si interface
Veröffentlicht in International journal of electronics
VolltextArtikel -
10
Charge fluctuations in SiO sub(2)-Si interface
Veröffentlicht in International journal of electronics
VolltextArtikel -
11
-
12
On the frequency dependence of the surface state admittance
Veröffentlicht in Physica status solidi. A, Applied research
VolltextArtikel -
13
Deep level profiling using an admittance spectroscopy method
Veröffentlicht in Physica status solidi. A, Applied research
VolltextArtikel -
14
-
15
-
16
-
17
-
18
-
19
-
20