Analysis on Local Structure around Al Atoms in Al0.82In0.18N Alloy Grown on a GaN Substrate by X-ray Absorption Fine Structure Measurements von Miyajima, Takao, Seiki, Ryoma, Kondo, Tsurugi, Shimoyama, Haruki, Tsuruta, Kazuki, Miyoshi, Makoto, Ikeyama, Kazuki, Takeuchi, Tetsuya

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Structural Analysis of Ga1-xInxN/GaN Three-quantum Wells Grown on Side-walls of GaN Nano-wires by using an X-ray Nano-beam von Miyajima, Takao, Seiki, Ryoma, Shibuya, Hiroki, Imai, Yasuhiko, Sumitani, Kazushi, Kimura, Shigeru, Kondo, Tsurugi, Kamiyama, Satoshi, Imai, Daichi

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Analysis on Local Structure around Sb Atoms in MOCVD-grown Sb-doped AlN by using X-ray Absorption Fine-Structure Measurements von Miyajima, Takao, Tsuzuki, Kento, Komori, Daisuke, Ina, Toshiaki, Seiki, Ryoma, Suzuki, Kenta, Takeuchi, Tetsuya, Uruga, Tomoya

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Analysis on Local Structure around Sb Atoms in MOCVD-grown Sb-doped GaN by using X-ray Absorption Fine-Structure Measurements von Miyajima, Takao, Komori, Daisuke, Ina, Toshiaki, Seiki, Ryoma, Nitta, Kiyofumi, Takeuchi, Tetsuya, Uruga, Tomoya

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Analysis on Local Structure around In Atoms in Al0.82In0.18N Alloy by X-ray Absorption Fine Structure Measurements von Miyajima, Takao, Seiki, Ryoma, Komori, Daisuke, Ina, Toshiaki, Ikeyama, Kazuki, Takeuchi, Tetsuya

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Local Structural Analysis of GaN-based Mixed Semiconductors and GaN-based Quantum Core-shells by using Synchrotron Radiations von Miyajima, Takao, Seiki, Ryoma, Kondo, Tsurugi, Ichikawa, Takato, Ina, Toshiaki, Nitta, Kiyofumi, Uruga, Tomoya, Tsuruta, Kazuki, Sumitani, Kazushi, Imai, Yasuhiko, Kimura, Shigeru, Yasuda, Nobuhiro, Miyoshi, Makoto, Imai, Daichi, Takeuchi, Tetsuya, Kamiyama, Satoshi

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Structural analysis of m-plane Ga1-xInxN/GaN multi-quantum wells grown on GaN nanowires by using an X-ray nano-beam von Kondo, Tsurugi, Seiki, Ryoma, Imai, Yasuhiko, Sumitani, Kazushi, Kimura, Shigeru, Takagi, Kenta, Goto, Nanami, Ichikawa, Takato, Imai, Daichi, Kamiyama, Satoshi, Miyajima, Takao

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Structural analysis of GaN-based multi-quantum wells on a single nanowire using an X-ray micro beam von Seiki, Ryoma, Shibuya, Hiroki, Imai, Yasuhiko, Sumitani, Kazushi, Kimura, Shigeru, Kondo, Tsurugi, Miyajima, Takao, Kamiyama, Satoshi, Imai, Daichi, Takeuchi, Tetsuya, Iwaya, Motoaki, Akasaki, Isamu

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Local Structural Analysis around In atoms in Al0.82In0.18N Alloy by using X-ray Absorption Fine-Structure Measurements von Seiki, Ryoma, Komori, Daisuke, Ikeyama, Kazuki, Ina, Toshiaki, Onuma, Takeyoshi, Miyajima, Takao, Takeuchi, Tetsuya, Kamiyama, Satoshi, Iwaya, Motoaki, Akasaki, Isamu

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Structural analysis of GaN-based multi-quantum wells on a single nanowire using an X-ray micro beam von Seiki, Ryoma, Shibuya, Hiroki, Imai, Yasuhiko, Sumitani, Kazushi, Kimura, Shigeru, Iwase, Kohei, Miyajima, Takao, Kamiyama, Satoshi, Imai, Daichi, Takeuchi, Tetsuya, Iwaya, Motoaki, Akasaki, Isamu

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Determination of the Sb Occupation-Site in MOCVD-grown GaN1-xSbx using X-ray Absorption Fine-Structure Measurements von Miyajima, Takao, Komori, Daisuke, Seiki, Ryoma, Ina, Toshiaki, Nitta, Kiyofumi, Suzuki, Kenta, Takeuchi, Tetsuya, Uruga, Tomoya, Kamiyama, Satoshi, Iwaya, Motoaki, Akasaki, Isamu

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METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE von OKOCHI MASAAKI, SEIKI RYOMA

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Ｘ線吸収微細構造法を用いた GaN 基板上の窒化物系混晶半導体 Al0.82In0.18N における Al 原子近傍の局所構造解析 von 宮嶋, 孝夫, 清木, 良麻, 近藤, 剣, 下山, 晴樹, 鶴田, 一樹, 三好, 実, 池山, 和希, 竹内, 哲也

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Ｘ線ナノビームによる GaN ナノワイヤ側面に成長した Ga1-xInxN/GaN 三重量子井戸の構造評価 von 宮嶋, 孝夫, 清木, 良麻, 澁谷, 弘樹, 今井, 康彦, 隅谷, 和嗣, 木村, 滋, 近藤, 剣, 上山, 智, 今井, 大地

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Ｘ線吸収微細構造法を用いた有機金属気相成長法により成長した Sb 添加 AlN 中の Sb 原子近傍の局所構造解析 von 宮嶋, 孝夫, 都築, 兼人, 小森, 大資, 伊奈, 稔哲, 清木, 良麻, 鈴木, 健太, 竹内, 哲也, 宇留賀, 朋哉

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X線吸収微細構造法を用いた窒化物系混晶半導体 Al0.82In0.18N における In 原子近傍の局所構造解析 von 宮嶋, 孝夫, 清木, 良麻, 小森, 大資, 伊奈, 稔哲, 池山, 和希, 竹内, 哲也

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X線吸収微細構造法を用いた有機金属気相成長法により成長した Sb添加GaN中のSb原子近傍の局所構造解析 von 宮嶋, 孝夫, 小森, 大資, 伊奈, 稔哲, 清木, 良麻, 新田, 清文, 竹内, 哲也, 宇留賀, 朋哉

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X線ナノビームによる1-100反射を用いたGaNナノワイヤ側壁上m面Ga1-xInxN/GaN量子井戸の構造評価 von 近藤, 剣, 清木, 良麻, 今井, 康彦, 隅谷, 和嗣, 木村, 滋, 高木, 健太, 後藤, 七美, 市川, 貴登, 今井, 大地, 上山, 智, 宮嶋, 孝夫

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放射光を使ったGaN系混晶半導体とGaN系量子殻の局所構造評価 von 宮嶋, 孝夫, 清木, 良麻, 近藤, 剣, 市川, 貴登, 伊奈, 稔哲, 新田, 清文, 宇留賀, 朋哉, 鶴田, 一樹, 隅谷, 和嗣, 今井, 康彦, 木村, 滋, 安田, 伸広, 三好, 実人, 今井, 大地, 竹内, 哲也, 上山, 智

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X線マイクロビームを用いた窒化物系単一ナノワイヤ上Ga1-xInxN/GaN量子井戸構造の見積もり von 清木, 良麻, 澁谷, 弘樹, 今井, 康彦, 隅谷, 和嗣, 木村, 滋, 近藤, 剣, 宮嶋, 孝夫, 上山, 智, 今井, 大地, 竹内, 哲也, 岩谷, 素顕, 赤崎, 勇

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