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IIIB-3 a unified analytical physical MOSFET model
von
SePuan Yu
,
Mihran, T.G.
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IEEE transactions on electron devices
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A physical parametric transistor model for CMOS circuit simulation
von
Yu, S.
,
Franz, A.F.
,
Mihran, T.G.
Veröffentlicht in
IEEE transactions on computer-aided design of integrated circuits and systems
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Method of making silicon-on-sapphire FET
von
ESHBACH
,
JOHN R
,
YU
,
SEPUAN
,
CADY
,
WILLIAM R
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General Tagging Of New Technological Developments
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Ieee Power & Energy Library
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Ieee Electronic Library (Iel)
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Esp@Cenet
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