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Development of a Radiation-Hardened Lateral Power MOSFET for POL Applications von Dodd, P.E., Shaneyfelt, M.R., Draper, B.L., Young, R.W., Savignon, D., Witcher, J.B., Vizkelethy, G., Schwanki, J.R., Shen, Z.J., Shea, P., Landowski, M., Dalton, S.M.
Veröffentlicht in IEEE transactions on nuclear science
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