The association between a history of anxiety or depression and utilization of diagnostic imaging von Powell, Adam C, Long, James W, Carneal, Garry, Schormann, Kathryn J, Friedman, David P

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Effect of doping on the far-infrared intersubband transitions in nonpolar m-plane GaN AlGaN heterostructures von Lim, C B, Ajay, A, Bougerol, C, Lähnemann, J, Donatini, F, Schörmann, J, Bellet-Amalric, E, Browne, D A, Jiménez-Rodríguez, M, Monroy, E

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Electrical transport properties of Ge-doped GaN nanowires von Schäfer, M, Günther, M, Länger, C, Müßener, J, Feneberg, M, Uredat, P, Elm, M T, Hille, P, Schörmann, J, Teubert, J, Henning, T, Klar, P J, Eickhoff, M

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Integration of an opto-chemical detector based on group III-nitride nanowire heterostructures von Kleindienst, R, Becker, P, Cimalla, V, Grewe, A, Hille, P, Krüger, M, Schörmann, J, Schwarz, U T, Teubert, J, Eickhoff, M, Sinzinger, S

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Intraband Absorption in Self-Assembled Ge-Doped GaN/AlN Nanowire Heterostructures von Beeler, M, Hille, P, Schörmann, J, Teubert, J, de la Mata, M, Arbiol, J, Eickhoff, M, Monroy, E

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Atomic Layer Deposition of Titania in Ordered Mesoporous Cerium Zirconium Oxide Thin Films: A Case Study von Cop, P, Göttlicher, M, Schörmann, J, Boissiere, C, Beyer, A, Becker, C, Volz, K, Over, H, Smarsly, B. M

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InGaN/GaN nanowires as a new platform for photoelectrochemical sensors – detection of NADH von Riedel, M., Hölzel, S., Hille, P., Schörmann, J., Eickhoff, M., Lisdat, F.

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Plasma assisted molecular beam epitaxy of Cu sub(2)O on MgO(001): Influence of copper flux on epitaxial orientation von Kracht, M, Schormann, J, Eickhoff, M

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Ge doping of GaN beyond the Mott transition von Ajay, A, Schörmann, J, Jiménez-Rodriguez, M, Lim, C B, Walther, F, Rohnke, M, Mouton, I, Amichi, L, Bougerol, C, Den Hertog, M I, Eickhoff, M, Monroy, E

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Enhanced epitaxial growth of Ga2O3 using an ultrathin SnO2 layer von Karg, A., Kracht, M., Vogt, P., Messow, A., Braud, N., Schörmann, J., Rohnke, M., Janek, J., Falta, J., Eickhoff, M.

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Nonpolar m-plane GaN AlGaN heterostructures with intersubband transitions in the 5-10 THz band von Lim, C B, Ajay, A, Bougerol, C, Haas, B, Schörmann, J, Beeler, M, Lähnemann, J, Eickhoff, M, Monroy, E

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Passivation layers for nanostructured photoanodes: ultra-thin oxides on InGaN nanowires von Neuderth, P., Hille, P., Schörmann, J., Frank, A., Reitz, C., Martí-Sánchez, S., Mata, M. de la, Coll, M., Arbiol, J., Marschall, R., Eickhoff, M.

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Nonpolar m-plane GaN/AlGaN heterostructures with intersubband transitions in the 5-10THz band von Lim, C B, Ajay, A, Bougerol, C, Haas, B, Schormann, J, Beeler, M, Lahnemann, J, Eickhoff, M, Monroy, E

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Influence of the atom source operating parameters on the structural and optical properties of InxGa1−xN nanowires grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy von Hille, P., Walther, F., Klement, P., Müßener, J., Schörmann, J., Kaupe, J., Mitić, S., Rosemann, N. W., Chatterjee, S., Beyer, A., Gries, K. I., Volz, K., Eickhoff, M.

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In situ growth regime characterization of cubic GaN using reflection high energy electron diffraction von Schörmann, J., Potthast, S., As, D. J., Lischka, K.

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Screening of the quantum-confined Stark effect in AlN/GaN nanowire superlattices by germanium doping von Hille, P., Müßener, J., Becker, P., de la Mata, M., Rosemann, N., Magén, C., Arbiol, J., Teubert, J., Chatterjee, S., Schörmann, J., Eickhoff, M.

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Universality of electron accumulation at wurtzite c - and a -plane and zinc-blende InN surfaces von King, P. D. C., Veal, T. D., McConville, C. F., Fuchs, F., Furthmüller, J., Bechstedt, F., Schley, P., Goldhahn, R., Schörmann, J., As, D. J., Lischka, K., Muto, D., Naoi, H., Nanishi, Y., Lu, Hai, Schaff, W. J.

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Suppression of the quantum-confined Stark effect in polar nitride heterostructures von Schlichting, S., Hönig, G. M. O., Müßener, J., Hille, P., Grieb, T., Westerkamp, S., Teubert, J., Schörmann, J., Wagner, M. R., Rosenauer, A., Eickhoff, M., Hoffmann, A., Callsen, G.

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Molecular beam epitaxy of phase pure cubic InN von Schörmann, J., As, D. J., Lischka, K., Schley, P., Goldhahn, R., Li, S. F., Löffler, W., Hetterich, M., Kalt, H.

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Radical formation at the gallium nitride nanowire-electrolyte interface by photoactivated charge transfer von Philipps, J M, Müntze, G M, Hille, P, Wallys, J, Schörmann, J, Teubert, J, Hofmann, D M, Eickhoff, M

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