Analyzing the channel dopant profile in next-generation FinFETs via atom probe tomography von Martin, Andrew J., Wei, Yong, Scholze, Andreas

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Mandatory Disclosure, Generation of Decision-Relevant Information, and Market Entry von Schneider, Georg T., Scholze, Andreas

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Analysis of Gate-Induced Drain Leakage Mechanisms in Silicon-Germanium Channel pFET von Tiwari, Vishal A., Jaeger, Daniel, Scholze, Andreas, Nair, Deleep R.

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Asymmetric taxation, limited liability, and agency conflicts von Schneider, Georg, Scholze, Andreas, Meißner, Fabian

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Study of Dopant Activation and Ionization for Phosphorus in 4H-SiC von Das, Suman, Lichtenwalner, Daniel J., Dixit, Hemant, Rogers, Steven, Scholze, Andreas, Ryu, Sei-Hyung

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Evaluation von Erythroblasten als Marker der Krankheitsschwere und Mortalität von Patienten mit akutem Lungenversagen und extrakorporaler Membranoxygenierung von Scholze, Andreas

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Vergleichende Analyse verschiedener Ausprägungen einer erhöhten Besteuerung von Bonuszahlungen von Meißner, Fabian, Schneider, Georg, Scholze, Andreas

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A Simple Accounting-Based Valuation Model for the Debt Tax Shield von Scholze, Andreas

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Investigation of Fixed Oxide Charge and Fin Profile Effects on Bulk FinFET Device Characteristics von Bomsoo Kim, Dong-Il Bae, Zeitzoff, Peter, Xin Sun, Standaert, Theodorus E., Tripathi, Neeraj, Scholze, Andreas, Oldiges, Philip J., Dechao Guo, Huiling Shang, Kang-Ill Seo

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(Invited) Silicon Germanium FinFET Device Physics, Process Integration and Modeling Considerations von Lu, Darsen, Morin, Pierre, Sahu, Bhagawan, Hook, Terence B, Hashemi, Pouya, Scholze, Andreas, Kim, Bomsoo, Kerber, Pranita, Khakifirooz, Ali, Oldiges, Philip, Rim, Ken, Doris, Bruce

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Single-electron device simulation von Scholze, A., Schenk, A., Fichtner, W.

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Unternehmensbewertung bei cashfloworientierter Bilanzpolitik von Scholze, Andreas

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Financial accounting for cash flow-based reporting von Scholze, Andreas

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Exploring MOL design options for a 20nm CMOS technology using TCAD von Scholze, A., Furkay, S., Seong-Dong Kim, Jain, S.

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SEMICONDUCTOR TRANSISTORS HAVING MINIMUM GATE-TO-SOURCE VOLTAGE CLAMP CIRCUITS von Potera, Rahul R, Van Brunt, Edward R, Shao, Jianwen, Scholze, Andreas, Steinmann, Philipp, Richmond, James T

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Contact-first field-effect transistors von Pranatharthiharan, Balasubramanian, Hook, Terence B, Na, Myung-Hee, Scholze, Andreas

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Modeling gate-pitch scaling impact on stress-induced mobility and external resistance for 20nm-node MOSFETs von Seong-Dong Kim, Jain, Sameer, Rhee, Hwasung, Scholze, Andreas, Yu, Mickey, Seung Chul Lee, Furkay, Stephen, Zorzi, Marco, Bufler, Fabian M, Erlebach, Axel

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Full Quantum Simulation of Silicon-on-Insulator Single-Electron Devices von Heinz, Frederik Ole, Schenk, Andreas, Scholze, Andreas, Fichtner, Wolfgang

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CONTACT-FIRST FIELD-EFFECT TRANSISTORS von Pranatharthiharan, Balasubramanian, Hook, Terence P, Na, Myung-Hee, Scholze, Andreas

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Method of forming epitaxial buffer layer for finFET source and drain junction leakage reduction von Mochizuki, Shogo, Guo, Dechao, Yeh, Chun-Chen, Scholze, Andreas

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