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Boron-layer silicon photodiodes for high-efficiency low-energy electron detection
Veröffentlicht in Solid-state electronics
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Arsenic-Doped High-Resistivity-Silicon Epitaxial Layers for Integrating Low-Capacitance Diodes
Veröffentlicht in Materials
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A 67 dBm OIP3 Multistacked Junction Varactor
Veröffentlicht in IEEE microwave and wireless components letters
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A 67 dBm Multistacked Junction Varactor
Veröffentlicht in IEEE microwave and wireless components letters
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