500 nm electrically driven InGaN based laser diodes von Queren, Désirée, Avramescu, Adrian, Brüderl, Georg, Breidenassel, Andreas, Schillgalies, Marc, Lutgen, Stephan, Strauß, Uwe

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Quality and thermal stability of thin InGaN films von Queren, Désirée, Schillgalies, Marc, Avramescu, Adrian, Brüderl, Georg, Laubsch, Ansgar, Lutgen, Stephan, Strauß, Uwe

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Substrate Modes of (Al,In)GaN Semiconductor Laser Diodes on SiC and GaN Substrates von Laino, V., Roemer, F., Witzigmann, B., Lauterbach, C., Schwarz, U.T., Rumbolz, C., Schillgalies, M.O., Furitsch, M., Lell, A., Harle, V.

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Waveguide design of green InGaN laser diodes von Lermer, Teresa, Schillgalies, Marc, Breidenassel, Andreas, Queren, Désirée, Eichler, Christoph, Avramescu, Adrian, Müller, Jens, Scheibenzuber, Wolfgang, Schwarz, Ulrich, Lutgen, Stephan, Strauss, Uwe

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Spectral dynamics of 405 nm (Al,In)GaN laser diodes grown on GaN and SiC substrate von Meyer, Tobias, Braun, Harald, Schwarz, Ulrich T, Tautz, Sönke, Schillgalies, Marc, Lutgen, Stephan, Strauss, Uwe

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Burn-in mechanism of 450nm InGaN ridge laser test structures von Müller, Jens, Brüderl, Georg, Schillgalies, Marc, Tautz, Sönke, Dini, Dimitri, Breidenassel, Andreas, Galler, Bastian, Lutgen, Stephan

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Beam quality of blue InGaN laser for projection von Strauss, Uwe, Eichler, Christoph, Rumbolz, Christian, Lell, Alfred, Lutgen, Stephan, Tautz, Sönke, Schillgalies, Marc, Brüninghoff, Stefanie

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Time resolved measurement of longitudinal mode competition in 405 nm (Al,In)GaN laser diodes von Schmidtke, Bernd, Braun, Harald, Schwarz, Ulrich T., Queren, Désirée, Schillgalies, Marc, Lutgen, Stephan, Strauß, Uwe

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Burn-in mechanism of 450 nm InGaN ridge laser test structures von Müller, Jens, Brüderl, Georg, Schillgalies, Marc, Tautz, Sönke, Dini, Dimitri, Breidenassel, Andreas, Galler, Bastian, Lutgen, Stephan

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High-power optically pumped VECSEL using a double-well resonant periodic gain structure von Li Fan, Hader, J., Schillgalies, M., Fallahi, M., Zakharian, A.R., Moloney, J.V., Bedford, R., Murray, J.T., Koch, S.W., Stolz, W.

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Epitaxial design of 475 nm InGaN laser diodes with reduced wavelength shift von Queren, Désirée, Avramescu, Adrian, Schillgalies, Marc, Peter, Matthias, Meyer, Tobias, Brüderl, Georg, Lutgen, Stephan, Strauß, Uwe

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Demonstration of finite-aperture tapered unstable resonator lasers von Bedford, Robert, Schillgalies, Marc, Fallahi, Mahmoud

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Process for manufacturing light emitting semiconductor elements von SCHILLGALIES, Marc, DINI, Dimitri

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Photosensitive element and optoelectronic component von Chavez, Ruben, Schillgalies, Marc, Wilke, Martin, Pierschel, Michael, Alirezaei, Iman Sabri

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Photosensitive Element and Optoelectronic Component von Chavez, Ruben, Schillgalies, Marc, Wilke, Martin, Pierschel, Michael, Alirezaei, Iman Sabri

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Semiconductor laser von DINI DIMITRI, SCHILLGALIES MARC

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SEMICONDUCTOR LASER von DINI DIMITRI, SCHILLGALIES MARC

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Process for manufacturing light emitting semiconductor elements von DINI, DIMITRI, SCHILLGALIES, MARC

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Halbleiterlaser von Dini, Dimitri, Dr, Schillgalies, Marc, Dr

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PRODUCTION METHOD FOR A III-V BASED OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP CONTAINING INDIUM AND CORRESPONDING CHIP von QUEREN, Désirée, SCHILLGALIES, Marc, LUTGEN, Stephan, EICHLER, Christoph

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