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Enhanced Breakdown Voltage and Charge to Breakdown of Collector Implant-Gate Oxide-Poly Capacitors by Selective Epitaxial Growth
von
Leipold, D.
,
Hechtl, Ch
,
Schiekhofer, M.
,
Puchert, T.
,
Krick, J.
,
Proetel, D.
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H and D Tunneling in Nb: Dependence on Defect Concentration and Trapping Center
von
Gutsmiedl, P.
,
Schiekhofer, M.
,
Neumaier, K.
,
Wipf, H.
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