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Elimination of trench defects and V-pits from InGaN/GaN structures
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Role of dislocations in nitride laser diodes with different indium content
Veröffentlicht in Scientific reports
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Effects of MOVPE Growth Conditions on GaN Layers Doped with Germanium
Veröffentlicht in Materials
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InGaN Laser Diodes with Etched Facets for Photonic Integrated Circuit Applications
Veröffentlicht in Micromachines (Basel)
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GaN Laser Diode Technology for Visible-Light Communications
Veröffentlicht in Electronics (Basel)
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