Thermally induced structural transition in (C 60) n clusters von Branz, W., Malinowski, N., Schaber, H., Martin, T.P.

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Evidence for a size-dependent melting of sodium clusters von Martin, T. P., Näher, U., Schaber, H., Zimmermann, U.

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Clusters of fullerene molecules von MARTIN, T. P, NÄHER, U, SCHABER, H, ZIMMERMANN, U

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Metal coated fullerene molecules and clusters von MARTIN, T. P, MALINOWSKI, N, ZIMMERMANN, U, NÄHER, U, SCHABER, H

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A combined heating cooling stage for cluster thermalization in the gas phase von Ievlev, D. N., Küster, A., Enders, A., Malinowski, N., Schaber, H., Kern, K.

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Evidence for octahedral shell structure in aluminum clusters von Martin, T.P., Näher, U., Schaber, H.

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Mass spectra of Si, Ge, and Sn clusters von MARTIN, T. P, SCHAEBER, H

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High resolution time‐of‐flight mass spectrometers. Part III. Reflector design von Bergmann, T., Martin, T. P., Schaber, H.

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High‐resolution time‐of‐flight mass spectrometer von Bergmann, T., Martin, T. P., Schaber, H.

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Metal-dopant-compound formation in TiSi2 and TaSi2 : impact on dopant diffusion and contact resistance von PROBST, V, SCHABER, H, MITWALSKY, A, HABZA, H, HOFFMANN, B, MAEX, K, VAN DEN HOVE, L

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High‐resolution time of‐flight mass spectrometers. Part II. Cross beam ion optics von Bergmann, T., Goehlich, H., Martin, T. P., Schaber, H., Malegiannakis, G.

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WSi2 and CoSi2 as diffusion sources for shallow-junction formation in silicon von PROBST, V, SCHABER, H, MITWALSKY, A, KABZA, H, VAN DEN HOVE, L, MAEX, K

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Analysis of polycrystalline silicon diffusion sources by secondary ion mass spectrometry von SCHABER, H, CRIEGERN, R. V, WEITZEL, I

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Limitations of TiSi2 as a source for dopant diffusion von PROBST, V, SCHABER, H, LIPPENS, P, VAN DEN HOVE, L, DE KEERSMAECKER, R

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Comparison between CoSi2 and TiSi2 as dopant source for shallow silicided junction formation von Van Den Hove, L., Maex, K., Hobbs, L., Pippens, P., De Keersmaecker, R., Probst, V., Schaber, H.

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Detection of large fullerene clusters von Martin, T.P., Bergmann, T., Näher, U., Schaber, H., Zimmermann, U.

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Analysis of polysilicon diffusion sources von PROBST, V, BÖHM, H. J, SCHABER, H, OPPOLZER, H, WEITZEL, I

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High‐resolution time‐of‐flight mass spectrometers: Part I. Effects of field distortions in the vicinity of wire meshes von Bergmann, T., Martin, T. P., Schaber, H.

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The role of the interfacial layer in bipolar (poly-Si)-emitter transistors von Benna, B., Meister, T.F., Schaber, H.

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Properties of a cluster source von Schaber, H., Martin, T.P.

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