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The role of chemical potential in compensation control in Si:AlGaN
Veröffentlicht in Journal of applied physics
VolltextArtikel -
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Shallow Si donor in ion-implanted homoepitaxial AlN
Veröffentlicht in Applied physics letters
VolltextArtikel -
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Low contact resistivity at the 10−4 Ω cm2 level fabricated directly on n-type AlN
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Doping and compensation in heavily Mg doped Al-rich AlGaN films
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Defect-free Ni/GaN Schottky barrier behavior with high temperature stability
Veröffentlicht in Applied physics letters
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