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Characterization of V-shaped Defects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers
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Stacking Fault Formation via 2D Nucleation in PVT Grown 4H-SiC
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Study of V and Y Shape Frank-Type Stacking Faults Formation in 4H-SiC Epilayer
Veröffentlicht in Materials science forum
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Sense Determination of c-Axis Screw Dislocations in 4H-SiC
Veröffentlicht in Materials science forum
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Veröffentlicht in Journal of electronic materials
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Characterization of Defects in SiC Substrates and Epilayers
Veröffentlicht in ECS transactions
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