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    An AlGaAs/InGaAs pseudomorphic high electron mobility transistor with improved breakdown voltage for X- and Ku-band power applications

    An AlGaAs/InGaAs pseudomorphic high electron mobility transistor with improved breakdown voltage for X- and Ku-band power applications von Huang, J.C., Jackson, G.S., Shanfield, S., Platzker, A., Saledas, P.K., Weichert, C.


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