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Angular Effects on F+ Etching SiC: MD Study
Veröffentlicht in Plasma science & technology
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An MD Study of the Temperature Effect on H Interacting with SiC (100)
Veröffentlicht in 等离子体科学和技术:英文版
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Etching Mechanisms of CF3 Etching Fluorinated Si: Molecular Dynamics Simulation
Veröffentlicht in 等离子体科学和技术:英文版
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