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Design of InAlAs/InGaAs PHEMTs and small-signal modeling from 0.5 to 110 GHz
Veröffentlicht in Journal of semiconductors
VolltextArtikel -
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Design and implementation of 83-nm low noise InP-based InAlAs/InGaAs PHEMTs
Veröffentlicht in Journal of semiconductors
VolltextArtikel -
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